- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录464 > IXTQ50N20P (IXYS)MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTA50N20P IXTP50N20P
IXTQ50N20P
50
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
45
40
35
30
V GS = 10V
9V
8V
90
80
70
60
V GS = 10V
9V
25
20
15
10
5
0
7V
6V
50
40
30
20
10
0
8V
7V
6V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
50
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
3.2
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Normalized to I D = 25A Value
vs. Junction Temperature
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 50A
I D = 25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value
vs. Drain Current
55
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
3.8
3.4
3
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
V GS = 10V
T J = 175oC
T J = 125oC
T J = 25oC
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
IXTQ62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
IXTQ75N10P
MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
IXTQ80N28T
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
IXTQ86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
IXTQ90N15T
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
IXTR16P60P
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
IXTR200N10P
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXTQ50N25T
功能描述:MOSFET 50Amps 250V
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ52N30P
功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ52P10P
功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ54N30T
功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ56N15T
功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ60N20L2
功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ60N20T
制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTQ60N30T
功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube